Обзор
FHD CWDM/DWDM Mux Demux - это экономичная платформа высокой плотности для узлов пассивного оптического уровня. Благодаря высокой плотности и модульной конструкции он позволяет уменьшить площадь центра обработки данных. Порт расширения позволяет беспрепятственно добавлять дополнительные каналы для увеличения пропускной способности.
Преимущества
-
Высокая плотность
Благодаря плотности, на 200% превышающей плотность стандартных решений, продукты серии FHD позволяют уменьшить площадь ЦОД и обеспечивают чрезвычайную гибкость.
-
Модульный принцип
Позволяют сочетать потребности CWDM и DWDM в одном шасси 1U FHD и обеспечивают установку без движущихся частей для максимальной надежности.
-
Масштабируемость
Порт расширения (EXP) позволяет каскадировать два модуля CWDM/ DWDM Mux/Demux, расширяя пропускную способность канала на общем оптоволоконном канале.
Как выбрать WDM MUX?
У нас есть продукция серии FHD и FMU. Плотность серии FHD на 200% больше, чем FMU, но у серии FMU больше каналов на выбор. Для получения более подробной информации вы можете ознакомиться с приведенными ниже листами.
- FHD
- FMU
- ОписаниеРазнос каналовПолоса пропускания каналаТехнологииНаправленность
FHD-D82128EM3
8 CH C21-C28, Duplex, высокая плотность, 2.4dB IL, DWDM Mux Demux100 ГГц (0,8 нм)± 0.11 нм1500~1554.34 и 1561.21~1620 нмTFF (Thin Film Filter)FHD-D82936EM
8 CH C29-C36, Duplex, высокая плотность, 2.4dB IL, DWDM Mux Demux100 ГГц (0,8 нм)± 0.11 нм1500~1547.91 и 1554.73~1620 нмTFF (Thin Film Filter)FHD-D85360EM
8 CH C53-C60, Duplex, высокая плотность, 2.4dB IL, DWDM Mux Demux100 ГГц (0,8 нм)± 0.11 нм1500~1528.95 и 1535.64~1620 нмTFF (Thin Film Filter)FHD-C84761EM
8 CH 1470-1610nm, Duplex, высокая плотность, 2.0dB IL, CWDM Mux Demux20 нм± 6.5 нм1260-1457 нмСвободное местоFHD-C82745EM
8 CH 1270-1450nm, Duplex, высокая плотность, 2.0dB IL, CWDM Mux Demux20 нм± 6.5 нм1463-1620 нмСвободное место
Решения MUX/DEMUX
- FHD
- FMU
Это решение специально разработано для среды шасси с разрешением Full HD и экономит оптические волокна. Это хороший выбор для начальных требований к низкой емкости.